Cep Telefonu Kullanıcılarına Müjde

IBM, Samsung’un yeni çip tasarımı, telefonların bil kullanım süresini 1 haftaya çıkarabileceği belirtiliyor.

İki şirket, cep telefonu pillerinin şarj edilmeden bir haftadan fazla dayanabileceğini iddia ediyor.

IBM ve Samsung, telefonların pil ömrünü uzatacak yeni bir yarı iletken teknoloji çipi yaptı. Transistörler yerle bir lbeing yerine bu yongaları üzerinde dikey olarak istiflenmiş olabilir yatay üst modeleşiğinde.

Yeni Dikey Aktarım Alan Etkili Transistör (VTFET), eski teknolojide yan yana akmak yerine, akımın dikey transistör yığınını yukarı ve aşağı iletmesine olanak tanıyor. Intel ayrıca, yataydan çok dikey olarak daha fazla yonga eklemek daha kolay olduğu için yonga bileşenlerini istifleme üzerinde çalışıyor.

IBM ve Samsung, VTFET’in FinFET teknolojisine kıyasla “iki kat performans artışı veya enerji kullanımında yüzde 85 azalma” sağlayacağını iddia ediyor. Günler yerine şarj olmadan bir haftadan fazla” telefonları kullanabilecek tüketiciler. Bu sistemin hayata geçirilmesiyle birlikte Kripto para madenciliği, veri şifreleme için daha az enerji harcanacak. Ayrıca güçlü IoT ve uzay araçlarının da enerji sorununu ortadan kaldırabilecek.

IBM, daha fazla transistörü bir çipe sığdırmak için dolduran ve FinFET tasarımını kullanan ilk 2nm çipini bu yılın başlarında sergiledi. VTFET tasarım çipi, bir süre için Samsung ve IBM için mevcut olmayacaktı, ancak diğer şirketler de çip fabrikaları kurmak için çoğunluğa katıldı. Intel, FinFET teknolojisinin halefi olan RibbonFET tasarımını bu yaz tanıtmıştı.